Low

NXP  PBHV8115X  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE

NXP PBHV8115X
Technical Data Sheet (244.24KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productoverzicht

The PBHV8115X is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. It offers die pad for good heat transfer.
  • High voltage
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • AEC-Q101 qualified
  • %4F Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
150V
Transition Frequency ft:
30MHz
Power Dissipation Pd:
1.5W
DC Collector Current:
1A
DC Current Gain hFE:
10hFE
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Lighting;
  • Automotive;
  • Motor Drive & Control;
  • Power Management

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.00001

Vergelijkbare producten