Low

NXP  PBSS4160T  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE

NXP PBSS4160T
Technical Data Sheet (341.08KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productoverzicht

The PBSS4160T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package. It is suitable for use with the driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High efficiency, reduces heat generation
  • Reduces printed-circuit board area required
  • PNP complement is PBSS5160T
  • U5 Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
60V
Transition Frequency ft:
220MHz
Power Dissipation Pd:
270mW
DC Collector Current:
1A
DC Current Gain hFE:
400hFE
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Automotive;
  • Communications & Networking;
  • Power Management;
  • Signal Processing;
  • Lighting;
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.000181

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten