Low

PBSS4160T - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE

NEXPERIA PBSS4160T

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Artikelnr. fabrikant:
PBSS4160T
Ordercode:
8736219RL
Technische datasheet:
(EN)
Bekijk alle technische documenten

Productgegevens

:
270mW
:
1A
:
60V
:
220MHz
:
150°C
:
NPN
:
400hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
SOT-23
:
MSL 1 - Unlimited
Zoeken naar vergelijkbare producten Kies en wijzig de bovenstaande eigenschappen om soortgelijke producten te zoeken.

Productoverzicht

The PBSS4160T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package. It is suitable for use with the driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High efficiency, reduces heat generation
  • Reduces printed-circuit board area required
  • PNP complement is PBSS5160T
  • U5 Marking code

Toepassingen

Industrial, Automotive, Communications & Networking, Power Management, Signal Processing, Lighting, Motor Drive & Control

Gekoppelde producten