Low

PBSS4230T - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE

NEXPERIA PBSS4230T

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Artikelnr. fabrikant:
PBSS4230T
Ordercode:
8736227RL
Technische datasheet:
(EN)
Bekijk alle technische documenten

Productgegevens

:
300mW
:
2A
:
30V
:
230MHz
:
150°C
:
NPN
:
470hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
SOT-23
:
MSL 1 - Unlimited
Zoeken naar vergelijkbare producten Kies en wijzig de bovenstaande eigenschappen om soortgelijke producten te zoeken.

Productoverzicht

The PBSS4230T is a 2A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package providing ultra-low VCEsat and RCEsat parameters. It is suitable for use with the peripheral driver of driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High efficiency leading to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board requirements
  • PNP complement is PBSS5230T
  • 3D Marking code

Toepassingen

Industrial, Signal Processing, Consumer Electronics, Lighting, Motor Drive & Control, Power Management

Gekoppelde producten