Low

NXP  PBSS4250X  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 550 mW, 2 A, 300 hFE

NXP PBSS4250X
NXP PBSS4250X
Technical Data Sheet (146.37KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

NXP PBSS4250X
NXP PBSS4250X

Productoverzicht

The PBSS4250X is a 2A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package. It offers die pad for good heat transfer.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability: IC and ICM
  • Higher efficiency leading to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board requirements
  • PNP complement is PBSS5250X

Productgegevens

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
550mW
DC Collector Current:
2A
DC Current Gain hFE:
300hFE
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Signal Processing;
  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Lighting;
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
Hong Kong

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412100
Gewicht (kg):
.00016

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten