Low

NXP  PBSS5220T  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 20 V, 300 mW, 2 A, 225 hFE

NXP PBSS5220T
Technical Data Sheet (257.17KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productoverzicht

The PBSS5220T is a 2A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package offering ultra-low VCEsat and RCEsat parameters.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capabilities of IC and ICM
  • Higher efficiency leading to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board requirements
  • 3F Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
20V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
300mW
DC Collector Current:
2A
DC Current Gain hFE:
225hFE
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Signal Processing;
  • Consumer Electronics;
  • Lighting;
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.000008

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten