Low

NEXPERIA  PBSS5250X  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 550 mW, 2 A, 200 hFE

NEXPERIA PBSS5250X
NEXPERIA PBSS5250X
Artikelnr. fabrikant:
PBSS5250X
Ordercode:
8736510RL
Technische datasheet:
Bekijk alle technische documenten
NEXPERIA PBSS5250X
NEXPERIA PBSS5250X

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productoverzicht

The PBSS5250X is a 2A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capabilities are IC and ICM
  • Higher efficiency leading to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board requirements
  • NPN complement is PBSS4250X
  • 1L Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
550mW
DC Collector Current:
2A
DC Current Gain hFE:
200hFE
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial
  • Power Management
  • Signal Processing
  • Consumer Electronics
  • Lighting
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

Land van oorsprong:
Hong Kong

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412100
Gewicht (kg):
.000162

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten