Low

NXP  PBSS5250X  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 550 mW, 2 A, 200 hFE

NXP PBSS5250X
NXP PBSS5250X
Technical Data Sheet (147.21KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

NXP PBSS5250X
NXP PBSS5250X

Productoverzicht

The PBSS5250X is a 2A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capabilities are IC and ICM
  • Higher efficiency leading to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board requirements
  • NPN complement is PBSS4250X
  • 1L Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
550mW
DC Collector Current:
2A
DC Current Gain hFE:
200hFE
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Signal Processing;
  • Consumer Electronics;
  • Lighting;
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
Hong Kong

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412100
Gewicht (kg):
.000162

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten