Low

NXP  PBSS5350D  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE

NXP PBSS5350D
Technical Data Sheet (252.96KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productgegevens

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
600mW
DC Collector Current:
3A
DC Current Gain hFE:
200hFE
Transistor Case Style:
SOT-457
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
Malaysia

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412100
Gewicht (kg):
.000005

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten