Low

NXP  PBSS5350T  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 300 mW, 3 A, 200 hFE

NXP PBSS5350T
Technical Data Sheet (172.26KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productoverzicht

The PBSS5350T is a 3A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
  • High collector current capability
  • High collector current gain
  • Improved efficiency due to reduced heat generation
  • NPN complement is PBSS4350T
  • ZD Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
300mW
DC Collector Current:
3A
DC Current Gain hFE:
200hFE
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Signal Processing;
  • Consumer Electronics

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
MSL 1 - Unlimited
Land van oorsprong:
China

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412900
Gewicht (kg):
.000008

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten