Low

PBSS5350T - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 300 mW, 3 A, 200 hFE

NEXPERIA PBSS5350T

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Artikelnr. fabrikant:
PBSS5350T
Ordercode:
8736570RL
Technische datasheet:
(EN)
Bekijk alle technische documenten

Productgegevens

:
300mW
:
3A
:
50V
:
-
:
150°C
:
PNP
:
200hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
SOT-23
:
MSL 1 - Unlimited
Zoeken naar vergelijkbare producten Kies en wijzig de bovenstaande eigenschappen om soortgelijke producten te zoeken.

Productoverzicht

The PBSS5350T is a 3A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
  • High collector current capability
  • High collector current gain
  • Improved efficiency due to reduced heat generation
  • NPN complement is PBSS4350T
  • ZD Marking code

Toepassingen

Industrial, Power Management, Signal Processing, Consumer Electronics

Gekoppelde producten

Geselecteerde vergelijken