Low

NXP  PBSS5350Z  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE

NXP PBSS5350Z
Technical Data Sheet (149.81KB) EN Bekijk alle technische documenten

De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.

Productoverzicht

The PBSS5350Z is a PNP low VCEsat Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
  • Low collector-emitter saturation voltage
  • High collector current capabilities are IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • Higher efficiency leading to less heat generation
  • Reduced PCB area requirements compared to DPAK
  • NPN complement is PBSS4350Z
  • PB5350 Marking code

Productgegevens

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
1.35W
DC Collector Current:
3A
DC Current Gain hFE:
200hFE
Transistor Case Style:
SOT-223
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Zoeken naar vergelijkbare producten  per overeenkomende kenmerken

Toepassingen

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Signal Processing;
  • Consumer Electronics;
  • Lighting;
  • Motor Drive & Control

Wetgeving en milieu

MSL-niveau voor vochtgevoeligheid:
-
Land van oorsprong:
Hong Kong

Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

RoHS-compliantie:
Ja
Tariefnummer:
85412100
Gewicht (kg):
.000726

Gekoppelde producten

Vergelijkbare producten