Pagina afdrukken
DMC2038LVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
18.288 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,230 € |
| 50+ | 0,155 € |
| 100+ | 0,112 € |
| 500+ | 0,0939 € |
| 1500+ | 0,092 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
1,15 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantDMC2038LVT-7
Ordercode3127305
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.074ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel800mW
Power Dissipation P Channel800mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.074ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
800mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000112
Producttraceerbaarheid