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DMC2038LVT-7
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
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| 100+ | 0,112 € |
| 500+ | 0,0939 € |
| 1500+ | 0,092 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMC2038LVT-7
Code Commande3127305
Fiche technique
Type de canalComplémentaire canal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain continu Id, Canal N3.7A
Courant de drain continu Id, Canal P2.6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.035ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.074ohm
Type de boîtier de transistorTSOT-26
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P800mW
Dissipation de puissance, Canal P800mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Complémentaire canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal P
2.6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.074ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
800mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
3.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.035ohm
Type de boîtier de transistor
TSOT-26
Dissipation de puissance Canal P
800mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000112
Traçabilité des produits