Imprimer la page
FF900R12IE4BOSA1
Module IGBT, Double, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Module
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF900R12IE4BOSA1
Code Commande2726152
Gamme de produitPrimePACK 2
Egalement appeléFF900R12IE4, SP000614712
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | |
|---|---|
| 3+ | 543,720 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 3
Multiple: 3
1.631,16 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF900R12IE4BOSA1
Code Commande2726152
Gamme de produitPrimePACK 2
Egalement appeléFF900R12IE4, SP000614712
Fiche technique
Configuration IGBTDouble
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC900A
Courant Collecteur Continu900A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.75V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.75V
Dissipation de puissance Pd5.1kW
Dissipation de puissance5.1kW
Température d'utilisation Max.150°C
Température de jonction Tj Max.150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitPrimePACK 2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Double
Courant de collecteur DC
900A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.75V
Dissipation de puissance Pd
5.1kW
Température d'utilisation Max.
150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Borne IGBT
Goujon
Technologie IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
PrimePACK 2
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
900A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.75V
Dissipation de puissance
5.1kW
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.856382