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IMT40R015M2HXTMA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT40R015M2HXTMA1
Code Commande4538825
Gamme de produitCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Egalement appeléIMT40R015M2H, SP005915784
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 12,620 € |
| 5+ | 11,020 € |
| 10+ | 9,420 € |
| 50+ | 8,790 € |
| 100+ | 8,150 € |
| 250+ | 7,990 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT40R015M2HXTMA1
Code Commande4538825
Gamme de produitCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Egalement appeléIMT40R015M2H, SP005915784
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id111A
Tension Drain-Source Vds400V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0191ohm
Type de boîtier de transistorHSOF
Nbre de broches8Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.6V
Dissipation de puissance341W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMT40R015M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 8 pin HSOF package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 15mohm RDS(on), 111A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
111A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0191ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.6V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
400V
Type de boîtier de transistor
HSOF
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
341W
Gamme de produit
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits