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IMZA65R039M1HXKSA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R039M1HXKSA1
Code Commande3889206
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléSP005423796, IMZA65R039M1H
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R039M1HXKSA1
Code Commande3889206
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléSP005423796, IMZA65R039M1H
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id50A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.039ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance176W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.039ohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
176W
Gamme de produit
CoolSiC Series
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits