IPW65R019C7FKSA1

L'IPW65R019C7 est un MOSFET de puissance CoolMOS™ à canal N de 650V offrant le RDS (on) le plus faible au monde avec de faibles pertes de commutation et des améliorations d'efficacité sur toute la plage de charge. La nouvelle série CoolMOS™ C7 offre une réduction de ~50% des pertes au démarrage (Eoss) par rapport au CoolMOS™ CP, offrant un niveau de performance de type GaN dans les topologies PFC, TTF et autres commutations matérielles. Le MOSFET CoolMOS™ offre une réduction significative des pertes de conduction, commutation et pilotage. Il permet une forte densité de puissance et un rendement superieur aux systèmes de conversion de puissance La dernière génération de MOSFET de puissance haute tension permet des alimentations AC-DC plus efficace, plus compactes, plus légeres et plus froide que jamais.

• Énergie réduite stockée dans la capacité de sortie (Eoss)
• Charge de porte inférieure
• Gain de place grâce à la réduction des composants
• Amélioration de la marge de sécurité
• Plus faibles pertes de conduction
• Faibles pertes de commutation
• Meilleure efficacité de charge légère
• Augmentation de la densité de puissance

Avertissements

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