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IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPZ65R019C7XKSA1
Code Commande2781196
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPZ65R019C7, SP001024002
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPZ65R019C7XKSA1
Code Commande2781196
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPZ65R019C7, SP001024002
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id75A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.017ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance446W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
75A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
446W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.017ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001