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IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
97 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,420 € |
| 10+ | 1,110 € |
| 50+ | 0,995 € |
| 100+ | 0,880 € |
| 250+ | 0,862 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF3205ZSTRLPBF
Code Commande2725884
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001559546
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id75A
Résistance Drain-Source à l'état-ON6500µohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance170W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
75A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
170W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRF3205ZSTRLPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits