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IRLR3105TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR3105TRPBF
Code Commande2726016
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001578856
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.037ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance57W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
57W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.037ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits