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IXTQ69N30P
MOSFET de puissance, Canal N, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Traversant
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTQ69N30P
Code Commande3438435
Gamme de produitPolar
Fiche technique
274 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 9,450 € |
| 5+ | 7,950 € |
| 10+ | 6,460 € |
| 50+ | 4,960 € |
| 100+ | 4,880 € |
| 250+ | 4,790 € |
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTQ69N30P
Code Commande3438435
Gamme de produitPolar
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds300V
Courant de drain Id69A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.049ohm
Type de boîtier de transistorTO-3P
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance500W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPolar
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
69A
Type de boîtier de transistor
TO-3P
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
500W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
300V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.049ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Polar
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits