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BVSS84LT1G
MOSFET de puissance, Canal P, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,154 € |
| 500+ | 0,127 € |
| 1500+ | 0,0939 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
20,40 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBVSS84LT1G
Code Commande2845355RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds50V
Courant de drain Id130mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON4.7ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance225mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
130mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
225mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
50V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4.7ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BVSS84LT1G
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits