HUF75344G3

Le HUF75344G3 est un MOSFET de puissance canal N UltraFET Cette technologie de processus avancée atteint le niveau le plus bas possible sur la résistance par zone de silicium, ce qui entraîne des performances exceptionnelles. Cet appareil est capable de résister à une forte énergie en mode avalanche et la diode présente un très faible temps de récupération en inverse et une charge stockée EIle a été conçue pour être utilisé dans des applications où l'efficacité énergétique est importante, comme les régulateurs à découpage, les convertisseurs, les drivers de relais, les commutateurs de bus basse tension et la gestion d'alimentation dans des produits portables et à piles.

• Courant crête vs courbe de largeur d'impulsion
• Courbe UIS
• Tension Grille/Source ±20V