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MMUN2233LT1G
Transistor num./pré-polarisé bipolaire, BRT, Simple NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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943.027 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 500+ | 0,0281 € |
| 1000+ | 0,0246 € |
| 5000+ | 0,0175 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMUN2233LT1G
Code Commande1651085RL
Fiche technique
Polarité transistorSimple NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN50V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R14.7kohm
Résistance Base-Emetteur R247kohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance400mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.80hFE
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
MMUN2233LT1G is an MMUN2233L series NPN transistor with a monolithic bias resistor network digital transistor. It is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design, reduces board space, reduces component count
- Collector-base voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector-emitter voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector current - continuous is 100mAdc max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input forward voltage is 30VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input reverse voltage is 5VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Total device dissipation is 230mW max (TA = 25°C)
- DC current gain is 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25°C)
- Input resistor range from 3.3 to 6.1kohm (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- SOT-23 package, junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
Simple NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Résistance base R1
4.7kohm
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Montage transistor
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
50V
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
47kohm
Nbre de broches
3 broches
Dissipation de puissance
400mW
Gain de courant DC hFE Min.
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMUN2233LT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits