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NTBG080N120SC1
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Simple, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG080N120SC1
Code Commande3528496
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| 50+ | 6,700 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG080N120SC1
Code Commande3528496
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id30A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.08ohm
Type de boîtier de transistorTO-263HV (D2PAK)
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance179W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
30A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.08ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
3V
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
179W
Gamme de produit
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0034
Traçabilité des produits