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NTMFS4C03NT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 136 A, 1500 µohm, SO-8 FL, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 1500+ | 0,301 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1500
Multiple: 1500
451,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS4C03NT1G
Code Commande2630353
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id136A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1500µohm
Type de boîtier de transistorSO-8 FL
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance64W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
136A
Type de boîtier de transistor
SO-8 FL
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
64W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000742
Traçabilité des produits