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STGIF10CH60TS-L
Module IGBT, SLLIMM™, 15 A, 600 V, 33 W, 175 °C, SDIP2B
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGIF10CH60TS-L
Code Commande2506882
Gamme de produitSLIMM IPM-2nd Series
Fiche technique
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|---|---|
| 1+ | 12,610 € |
| 5+ | 10,560 € |
| 10+ | 8,510 € |
| 50+ | 7,580 € |
| 100+ | 6,650 € |
| 250+ | 6,520 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGIF10CH60TS-L
Code Commande2506882
Gamme de produitSLIMM IPM-2nd Series
Fiche technique
Configuration IGBT-
Courant Collecteur Continu15A
Tension de saturation Emetteur Collecteur600V
Dissipation de puissance33W
Température d'utilisation Max.175°C
Température de jonction Tj Max.175°C
Type de boîtier de transistorSDIP2B
Borne IGBTA souder
Tension Collecteur Emetteur Max-
Technologie IGBT-
Montage transistorTraversant
Gamme de produitSLIMM IPM-2nd Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
600V
Température d'utilisation Max.
175°C
Type de boîtier de transistor
SDIP2B
Tension Collecteur Emetteur Max
-
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Courant Collecteur Continu
15A
Dissipation de puissance
33W
Température de jonction Tj Max.
175°C
Borne IGBT
A souder
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
SLIMM IPM-2nd Series
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0086