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STGIPS10K60A
Module IGBT, Onduleur triphasé IPM, 10 A, 600 V, 33 W, 125 °C, SDIP
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGIPS10K60A
Code Commande1889350
Fiche technique
Configuration IGBTOnduleur triphasé IPM
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC10A
Courant Collecteur Continu10A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)600V
Tension de saturation Emetteur Collecteur600V
Dissipation de puissance Pd33W
Dissipation de puissance33W
Température de jonction Tj Max.125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo-
Température d'utilisation Max.125°C
Type de boîtier de transistorSDIP
Nbre de broches25Broche(s)
Borne IGBTA souder
Tension Collecteur Emetteur Max-
Technologie IGBT-
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
Produits de remplacement pour STGIPS10K60A
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Aperçu du produit
The STGIPS10K60A is a SLLIMM™ small low-loss Intelligent Moulded Module provides a compact, high performance AC motor drive in a simple, rugged design. Combining ST proprietary control IC with the most advanced short-circuit rugged IGBT system technology. It is ideal for 3-phase inverters in applications such as home appliances and air conditioners. It features IPM 10A/600V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and freewheeling diodes.
- Short-circuit rugged IGBT
- VCE(sat) negative temperature coefficient
- 3.3/5/15V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull-down resistor
- Undervoltage lockout
- Internal bootstrap diode
- Interlocking function
- DBC substrate leading to low thermal resistance
- 2500VRMS/minute Isolation rating
- 5kΩ NTC thermistor for temperature control
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Onduleur triphasé IPM
Courant de collecteur DC
10A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
600V
Dissipation de puissance Pd
33W
Température de jonction Tj Max.
125°C
Température d'utilisation Max.
125°C
Nbre de broches
25Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max
-
Montage transistor
Traversant
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
10A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
600V
Dissipation de puissance
33W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
-
Type de boîtier de transistor
SDIP
Borne IGBT
A souder
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.021772
Traçabilité des produits