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STL19N60M6
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Montage en surface
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL19N60M6
Code Commande3527139
Gamme de produitMDmesh M6
Fiche technique
282 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,720 € |
| 10+ | 1,700 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL19N60M6
Code Commande3527139
Gamme de produitMDmesh M6
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id11A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.255ohm
Type de boîtier de transistorPowerFLAT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance90W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMDmesh M6
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11A
Type de boîtier de transistor
PowerFLAT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
90W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.255ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh M6
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00018