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SIHB21N80AE-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
942 En Stock
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB21N80AE-GE3
Code Commande3586070
Gamme de produitE
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id17.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.235ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance179W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
17.4A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
179W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.235ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
E
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits