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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHF5N50D-E3
Code Commande2283612
Gamme de produitD
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id5.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.5ohm
Type de boîtier de transistorTO-220FP
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance30W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitD
Qualification-
SVHCLead (19-Jan-2021)
Produits de remplacement pour SIHF5N50D-E3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5.3A
Type de boîtier de transistor
TO-220FP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
30W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.5ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
D
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (19-Jan-2021)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits