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| Quantité | |
|---|---|
| 500+ | 3,700 € |
Prix pour :Pièce
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Multiple: 500
1.850,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHS36N50D-E3
Code Commande2283628
Gamme de produitD
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.105ohm
Type de boîtier de transistorTO-274AA
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance446W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitD
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance en mode enrichissement canal N Série D
- Résistance ON spécifique aux zones basses
- Faible capacité d'entrée (Ciss)
- Pertes de commutation capacitives réduites
- Diodes boîtier avec une robustesse élevée
- Énergie avalanche (UIS)
- Efficacité optimale
- Commutation rapide
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
36A
Type de boîtier de transistor
TO-274AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
446W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.105ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
D
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits