Pagina afdrukken
BSZ215CHXTMA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSZ215CHXTMA1
Ordercode3294674RL
ProductreeksOptiMOS 2 Series
Ook bekend alsBSZ215C H, SP001277210
Technische datasheet
24.378 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,696 € |
| 500+ | 0,512 € |
| 1000+ | 0,476 € |
| 5000+ | 0,388 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
74,60 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSZ215CHXTMA1
Ordercode3294674RL
ProductreeksOptiMOS 2 Series
Ook bekend alsBSZ215C H, SP001277210
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.041ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.041ohm
Transistor Case StyleTSDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.041ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
OptiMOS 2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.041ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000109