Pagina afdrukken
IPD031N03LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD031N03LGATMA1
Ordercode1775565
Ook bekend alsIPD031N03L G, SP000680554
Technische datasheet
387 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 0,633 € |
| 10+ | 0,547 € |
| 100+ | 0,466 € |
| 500+ | 0,456 € |
| 1000+ | 0,424 € |
| 5000+ | 0,391 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,63 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIPD031N03LGATMA1
Ordercode1775565
Ook bekend alsIPD031N03L G, SP000680554
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IPD031N03L G is a 30V N-channel Power MOSFET for switched mode power supplies (SMPS). OptiMOS™ 30V MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. This is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour as well as increased battery life.
- Fast switching MOSFET
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Superior thermal resistance
Toepassingen
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Motor Drive & Control, LED Lighting
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Alternatieven voor IPD031N03LGATMA1
3 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000381
Producttraceerbaarheid