Pagina afdrukken
NXH40T120L3Q1SG
IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNXH40T120L3Q1SG
Ordercode3265492
ProductreeksNXH40T120L3Q1
Technische datasheet
17 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 55,020 € |
| 5+ | 49,520 € |
| 10+ | 48,530 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
55,02 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNXH40T120L3Q1SG
Ordercode3265492
ProductreeksNXH40T120L3Q1
Technische datasheet
IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
Continuous Collector Current42A
DC Collector Current42A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd146W
Power Dissipation146W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH40T120L3Q1
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
IGBT Configuration
PIM Half Bridge Inverter
DC Collector Current
42A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
146W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Continuous Collector Current
42A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
146W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH40T120L3Q1
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001
Producttraceerbaarheid