Pagina afdrukken
SCTL90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.843 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 25,240 € |
| 5+ | 23,980 € |
| 10+ | 19,310 € |
| 50+ | 18,920 € |
| 100+ | 18,540 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
25,24 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSCTL90N65G2V
Ordercode3748721
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
No. of Pins5Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation935W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Productoverzicht
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
5Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
935W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00018
Producttraceerbaarheid