Pagina afdrukken
PHT8N06LT
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantPHT8N06LT
Ordercode1081458
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation8.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The PHT8N06LT is a 55V logic level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and electrostatically robust due to integrated protection diodes. Suitable for use in DC to DC converters and general purpose switching applications.
- 150°C Junction temperature
Toepassingen
Power Management, Consumer Electronics, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
8.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Great Britain
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Great Britain
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00012