Infineon

MOSFET de puissance
à usage général ≤ 250 V et ≥ 500 V, la solution adaptée à votre conception

Infineon s’efforce de servir tous ses clients en proposant des MOSFET de puissance répondant à toutes vos exigences en matière de conception, de prix et de logistique. Nous donnons vie à cet engagement grâce à notre gamme triée sur le volet de MOSFET de faible et haute puissance à usage général.

La gamme couvre le domaine basse tension jusqu’à 250 V et la section haute tension de 500 V à 900 V. En outre, les MOSFET de puissance à usage général d’Infineon sont disponibles dans une large gamme de boîtiers tels que SOT-23, PQFN, SuperSO8, TO-252 (DPAK), SOT-223 et TO-220 (FullPAK, FullPAK Narrow Lead).

Applications cibles

  • SMPS
  • Chargeurs et adaptateurs
  • Éclairage
  • Serveur/télécommunications
  • Alimentations TV
  • Applications alimentées par batterie
  • Contrôle et entraînement des moteurs
  • Systèmes de gestion de batterie

Facilité d’utilisation des MOSFET d’Infineon dans le développement de produits MOSFET de puissance

Avantages pour les clients

Vous recherchez des MOSFET de puissance offrant la flexibilité nécessaire pour être utilisés dans une large gamme d’applications ? Maximisez la valeur de votre produit final en choisissant Infineon, un partenaire fiable doté d’une excellente compréhension des systèmes et d’une expertise technologique. La satisfaction de vos exigences individuelles en matière de conception et de système est notre priorité absolue.

Boîtiers de MOSFET à usage général

MOSFET basse tension ≤ 250 V

PQFN 3,3x3,3

Pour une efficacité et une gestion de l’alimentation maximales
PQFN 3,3x3,3

SOT-223

Parfait pour une large gamme d’applications et de circuits
SOT-223

SOT-23

Boîtier compact pour les applications de basse puissance
SOT-23

SuperSO8 5x6

Pour une efficacité et une gestion de l’alimentation maximales
SuperSO8 5x6

TO-220

Optimisé pour des applications de faible fréquence et des capacités de courant élevées
TO-220

PQFN DPAK

Idéal pour les applications de puissance moyenne
PQFN DPAK

TSOP-6

La famille de MOSFET de puissance StrongIRFET™ est optimisée pour un RDS(on) faible et une capacité de courant élevée
TSOP-6

MOSFET haute tension ≥ 500 V

TO-252 (DPAK)

Idéal pour les applications de basse fréquence nécessitant performances et robustesse
TO-252 (DPAK)

TO-263 (D²PAK)

La troisième série de CoolMOS™ C3 d’Infineon est le « cheval de bataille » de la gamme
TO-263 (D²PAK)

TO-220

Optimisé pour les applications de haute puissance et une capacité de courant élevée
TO-220

TO-220 FP

Pour un rapport coût/performance exceptionnel et une grande fiabilité
MOSFET de puissance OptiMOS™

TO-220-FP NL

Optimal pour équilibrer haute efficacité et facilité d’utilisation dans le processus de conception
TO-220-FP NL

TO-247

La troisième série de CoolMOS™ C3 d’Infineon est le « cheval de bataille » de la gamme
TO-247

Produits phares

MOSFET basse tension ≤ 250 V

Acheter dès maintenant

Cette gamme de MOSFET basse puissance sélectionnée sur le volet offre des solutions simples et compétitives en termes de prix, une large disponibilité et une qualité établie.

Boîtier
Classe de tension		PQFN 3,3x3,3SOT-223SOT-23SuperSO8 5x6TO-220DPAKPQFN 2x2TSOP-6
-60 VISP25DP06LM
RDS(on) à 10 V max = 250 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 310 mΩ

ISP25DP06NM
RDS(on) à 10 V max = 250 mΩ

ISP650P06NM
RDS(on) à 10 V max = 65 mΩ

ISP75DP06LM
RDS(on) à 10 V max = 700 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 1 Ω
 ISS55EP06LM
RDS(on) à 10 V max = 5,5 Ω
RDS(on) à 4,5 V max = 7 Ω
-30 V IRLML9303
RDS(on) à 10 V max = 165 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 270 mΩ

IRLML9301
RDS(on) à 10 V max = 64 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 103 mΩ 		IRFHS9301
RDS(on) à 10 V max = 37 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 65 mΩ

IRFHS9351
RDS(on) à 10 V max = 170 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 290 mΩ 		IRFTS9342
RDS(on) à 10 V max = 40 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 66 mΩ
-20 VIRLML2244
RDS(on) à 4,5 V max = 54 mΩ

IRLML2246
RDS(on) à 4,5 V max = 135 mΩ		IRLHS2242
RDS(on) à 4,5 V max = 31 mΩ		IRLTS2242
RDS(on) à 4,5 V max = 32 mΩ
20 VIRLML6246
RDS(on) à 4,5 V max = 46 mΩ

IRLML6244
RDS(on) à 4,5 V max = 21 mΩ		IRLHS6242
RDS(on) à 4,5 V max = 11,7 mΩ

IRLHS6276
RDS(on) à 4,5 V max = 45 mΩ
25 VIRFML8244
RDS(on) à 10 V max = 24 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 41 mΩ		IRFHS8242
RDS(on) à 10 V max = 13 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 21 mΩ
30 VIRFHM830
RDS(on) à 10 V max = 3,8 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 6 mΩ

ISZ040N03L5IS
RDS(on) à 10 V max = 4 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 5,7 mΩ

ISZ019N03L5S
RDS(on) à 10 V max = 1,9 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 2,5 mΩ

ISZ065N03L5S
RDS(on) à 10 V max = 6,5 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 8,6 mΩ		IRLML0030
RDS(on) à 10 V max = 27 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 40 mΩ

IRLML6344
RDS(on) à 4,5 V max = 29 mΩ

IRLML2030
RDS(on) à 10 V max = 100 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 154 mΩ

IRLML6346
RDS(on) à 4,5 V max = 63 mΩ		ISC019N03L5S
RDS(on) à 10 V max = 1,9 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 2,4 mΩ

ISC037N03L5IS
RDS(on) à 10 V max = 3,7 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 5,2 mΩ

ISC026N03L5S
RDS(on) à 10 V max = 2,6 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 3,5 mΩ

ISC011N03L5S
RDS(on) à 10 V max = 1,1 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 1,4 mΩ

IRFH8307
RDS(on) à 10 V max = 1,3 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 2,1 mΩ

IRFH8324
RDS(on) à 10 V max = 4,1 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 6,3 mΩ

ISC045N03L5S
RDS(on) à 10 V max = 4,5 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 6,4 mΩ

IRFH8311
RDS(on) à 10 V max = 2,1 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 3,2 mΩ

IRFH8318
RDS(on) à 10 V max = 3,1 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 4,6 mΩ

IRFH8303
RDS(on) à 10 V max = 3,1 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 4,6 mΩ

IRFH8334
RDS(on) à 10 V max = 9 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 13,5 mΩ

IRFH8325
RDS(on) à 10 V max = 5 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 7,2 mΩ		IRLB8743
RDS(on) à 10 V max = 3,2 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 4,2 mΩ

IRLB8314
RDS(on) à 10 V max = 2,4 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 3,2 mΩ

IRLB8721
RDS(on) à 10 V max = 8,7 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 16 mΩ

IRLB8748
RDS(on) à 10 V max = 4,8 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 6,8 mΩ

IRLB3813
RDS(on) à 10 V max = 1,95 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 2,6 mΩ 		IRLR8743
RDS(on) à 10 V max = 3,1 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 3,9 mΩ

IRLR8726
RDS(on) à 10 V max = 5,8 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 8 mΩ

IRFR8314
RDS(on) à 10 V max = 2,2 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 3,1 mΩ		IRFHS8342
RDS(on) à 10 V max = 16 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 25 mΩ

IRLHS6376
RDS(on) à 4,5 V max = 63 mΩ
IRLTS6342
RDS(on) à 4,5 V max = 17,5 mΩ

IRFTS8342
RDS(on) à 10 V max = 19 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 29 mΩ
40 VIRLML0040
RDS(on) à 10 V max = 56 mΩ
RDS(on) à 4,5 V max = 78 mΩ
60 VSN7002I
RDS(on) à 10 V max = 5 Ω
RDS(on) à 4,5 V max = 7,5 Ω

BSS138I
RDS(on) à 10 V max = 3,5 Ω
RDS(on) à 4,5 V max = 6 Ω 		2N7002*
RDS(on) à 10 V max = 3 Ω
80 VIPP016N08NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 1,6 mΩ

IPP019N08NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 1,9 mΩ

IPP024N08NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 2,4 mΩ

IPP040N08NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 4 mΩ

IPP055N08NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 5,5 mΩ
100 VBSS123I
RDS(on) à 10 V max = 6 Ω
RDS(on) à 4,5 V max = 10 Ω

BSS169I*
RDS (on) (à 0 V) = 12 Ω 		BSS169I*
RDS(on) à 10 V max = 6 Ω

BSS123I
RDS(on) à 10 V max = 6 Ω
RDS(on) à 4,5 V max = 10 Ω		IPP026N10NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 2,6 mΩ

IPP050N10NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 5 mΩ

IPP082N10NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 8,2 mΩ

IPP129N10NF2S*
RDS(on) à 10 V max = 12,9 mΩ
250 VBSS139I*
RDS(on) (à 0 V) = 30 Ω 		BSS139*I
RDS(on) à 10 V max = 14 Ω

MOSFET haute tension ≥ 500 V

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Cette gamme de MOSFET haute puissance sélectionnée sur le volet offre des solutions simples et compétitives en termes de prix, une large disponibilité et une qualité établie.

Boîtier
Classe de tension		TO-252
(DPAK)		TO-263
(D²PAK)		TO-220TO-220 FPTO-220 FP NLTO-247
500 VIPD50R280CE
RDS(on) = 280 mΩ		IPP50R190CE
RDS(on) = 190 mΩ

IPP50R280CE
RDS(on) = 280 mΩ		IPA50R500CE
RDS(on) = 500 mΩ
600 V / 650 VIPD60R180P7S
RDS(on) = 180 mΩ

IPD60R280P7S
RDS(on) = 280 mΩ

IPD60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPD60R600P7S
RDS(on) = 600 mΩ

IPD60R650CE
RDS(on) = 650 mΩ		SPB11N60C3
RDS(on) = 380 mΩ		SPP20N60C3
RDS(on) = 190 mΩ		IPA60R180P7S
RDS(on) = 180 mΩ

IPA60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPA60R400CE
RDS(on) = 400 mΩ

IPA65R650CE
RDS(on) = 650 mΩ		IPAN60R280P7S
RDS(on) = 280 mΩ

IPAN60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPAN60R600P7S
RDS(on) = 600 mΩ		SPW20N60C3
RDS(on) = 190 mΩ
700 VIPD70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPD70R1K4P7S
RDS(on) = 1 400 mΩ		IPA70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ		IPAN70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ
800 VSPD06N80C3
RDS(on) = 900 mΩ

IPD80R2K8CE
RDS(on) = 2 800 mΩ		SPP17N80C3
RDS(on) = 290 mΩ

SPP04N80C3
RDS(on) = 1 300 mΩ		SPA11N80C3
RDS(on) = 450 mΩ

SPA08N80C3
RDS(on) = 650 mΩ		SPW55N80C3
RDS(on) = 85 mΩ
900 VIPD90R1K2C3
RDS(on) = 1 200 mΩ		IPB90R340C3
RDS(on) = 340 mΩ		IPP90R1K2C3
RDS(on) = 1 200 mΩ		IPA90R340C3
RDS(on) = 340 mΩ		IPW90R120C3
RDS(on) = 120 mΩ

Ressources