
Coup de projecteur sur le Power over Ethernet
Les solutions d’Infineon pour des alimentations plus économes en énergie
Maximisez l’efficacité et la fiabilité de vos applications Power over Ethernet (PoE) avec les solutions de pointe d’Infineon destinées aux alimentations utilisant le PoE
Cette technologie de pointe vous permet de concevoir des alimentations à la fois économes en espace et en énergie, même pour les applications de PSE les plus exigeantes.
Avec les progrès technologiques et les nouvelles normes de l’industrie pour le PoE, comme IEEE 802.3bt, il est désormais possible de fournir jusqu’à 100 W via le Power over Ethernet, mais cela représente un défi unique à l’heure de concevoir des alimentations principales pour des équipements d’alimentation électrique (PSE) PoE. Pour relever ces défis haut la tête, les topologies d’alimentations à découpage (SMPS) résonantes d’Infineon avec des MOSFET haute puissance efficaces permettent de conserver la même taille de système tout en augmentant le budget d’alimentation disponible par port PoE.
Avantages du Power over Ethernet
L’un des plus grands avantages du PoE, outre le fait que les données et la connectivité transitent par un seul câble Ethernet à paire torsadée (ce qui permet d’économiser un cordon d’alimentation secteur traditionnel), est qu’il permet de centraliser la gestion de l’alimentation. Avec les systèmes électriques traditionnels, chaque appareil dispose de sa propre alimentation… qui consomme de l’énergie même lorsque l’appareil n’est pas utilisé. Cependant, avec le PoE, tous les appareils peuvent être alimentés par une seule source d’alimentation centrale qui peut être éteinte ou manipulée lorsqu’ils ne sont pas utilisés, réduisant ainsi le gaspillage d’énergie.
Grâce à la centralisation, le PoE rend également possible la gestion de l’alimentation à distance. Cela signifie que les appareils peuvent être allumés ou éteints à distance et que leur consommation d’énergie peut être surveillée et gérée de manière centralisée à partir d’un seul endroit, tel que le système de gestion du bâtiment. Cela améliore non seulement l’utilisation de l’énergie, mais offre également plus de contrôle et de flexibilité sur l’alimentation électrique d’un bâtiment.
Le PoE fournit également une alimentation électrique plus fiable et plus sécurisée. Les systèmes électriques traditionnels sont souvent sujets à des pannes de courant et à des surtensions du réseau AC, ce qui peut endommager les appareils et avoir un impact sur leurs performances. Avec le PoE, l’alimentation électrique est centralisée et peut être soutenue par une alimentation sans interruption (UPS), fournissant ainsi une source d’alimentation plus stable pour les appareils connectés, par exemple pour les caméras de surveillance.
Présentation des exigences typiques pour les PSE PoE conformes à la norme IEEE 802.3bt :
- Une puissance de sortie plus élevée, car, par exemple, avec chaque port supplémentaire, jusqu’à 100 W de puissance nécessaire sont ajoutés au budget d’alimentation PoE
- Conceptions de SMPS à plusieurs étages avec PFC, étage principal DC-DC, redressement et fonction « OR-ing » si nécessaire
- Densité de puissance accrue pour conserver le format existant malgré une puissance de sortie croissante
- Efficacité élevée pour des conditions de charge étendues de l’alimentation principale
- Pour les MOSFET de port de PSE PoE, une efficacité élevée grâce à un faible RDS(on) et de la fiabilité grâce à de larges zones de fonctionnement sûres (SOA)

Avantages de conception des familles OptiMOS™ 5, OptiMOS™ 6 et coolMOS™ P7 d’Infineon
En raison de l’augmentation du niveau de puissance par port avec la dernière norme IEEE 802.3bt, le niveau de puissance respectif des principales alimentations pour les applications de PSE PoE doit également augmenter. Les MOSFET avec une tension nominale comprise entre 40 V et 100 V (en fonction de la tension typique du système) sont utilisés pour fournir la fonction « OR-ing » lors de la combinaison de plusieurs étages de puissance dans les alimentations PoE pour PSE. Cependant, pour le redressement synchrone du côté secondaire de l’alimentation avant l’étape « OR-ing », en raison des tensions PoE typiques de 44 V à 57 V, les MOSFET OptiMOS™ 6 de 80 V et 100 V sont normalement considérés comme garantissant une fiabilité tout en conservant le niveau d’efficacité du système le plus élevé.
Du côté primaire, les MOSFET à superjonction, tels que ceux de la famille CoolMOS™ d’Infineon, permettent une efficacité maximale, des performances de pointe avec une robustesse et une fiabilité élevées pour la conversion de la tension AC en tension DC. La famille de MOSFET à SJ 600 V CoolMOS™ P7 offre l’efficacité la plus élevée et une densité de puissance améliorée grâce à des niveaux de QG et d’EOSS considérablement réduits, ainsi qu’un RDS(on) optimisé, ce qui la rend idéale pour les applications de PSE PoE.
Les résistances de grille intégrées soigneusement sélectionnées permettent une très faible tendance au déclenchement et, en raison de la robustesse exceptionnelle de la diode du corps contre la commutation dure, elles conviennent aux topologies de commutation dure, ainsi qu’aux topologies de type LLC. De plus, la caractéristique d’une excellente capacité ESD contribue à améliorer la qualité de la fabrication. Le CoolMOS™ P7 600 V offre une large gamme de combinaisons de boîtiers RDS(on), y compris des dispositifs THD, ainsi que des dispositifs SMD, avec une granularité RDS(on) de 24 mΩ à 600 mΩ et est proposé avec le prix et le rapport de performance les plus compétitifs de toutes les offres CoolMOS™ 600 V.
Découvrez les produits recommandés
Produits phares
Le FET linéaire OptiMOS™ 5 100 V ISZ113N10NM5LF à canal N offre les performances robustes requises dans les ports d’équipement d’alimentation électrique (PSE) pour alimenter de manière fiable les appareils alimentés connectés.
Le modèle ISZ113N10NM5LF protège contre les surtensions de courant d’appel et les courts-circuits et permet une protection et une fiabilité du système plus élevées
Caractéristiques de l’ISZ113N10NM5LF
- Large zone de fonctionnement sûre (SOA)
- Résistance RDS(on) maximale de 11,3 mΩ
- ID de courant de drain continu maximal de 63 A
- MOSFET à canal N
- Tension de seuil de grille typique de 3,1 V (niveau normal)
- Entièrement qualifié conformément à JEDEC pour les applications industrielles
- Test Avalanche 100 %
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| Référence fabricant | Spécifications | Fiche technique | Boîtier | Page détaillée sur les produits | |
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| IPW60R080P7 | MOSFET à superjonction (SJ) CoolMOS™ P7 600 V, 80 mΩ, 110 A | Télécharger | TO247-3 | Acheter dès maintenant | |
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| IPW60R120P7 | MOSFET à superjonction (SJ) CoolMOS™ P7 600 V, 120 mΩ, 78 A | Télécharger | TO247-3 | Acheter dès maintenant |

