Un état d’esprit avant-gardiste qui alimente
l’évolution des infrastructures énergétiques
Solutions d’infrastructure énergétique d’onsemi
onsemi s’appuie sur des décennies d’expérience dans le domaine des technologies innovantes, fiables, à rendement élevé et de qualité pour les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération afin de vous aider à raccourcir votre temps de développement tout en dépassant votre densité de puissance et en défiant les budgets de perte de puissance. Nous vous aidons, vous et votre équipe de fabrication, à mieux dormir la nuit en sachant que vous avez contribué à rendre le monde meilleur.
S’appuyant sur une expérience étendue et une fabrication de première classe, onsemi est fier de présenter les produits EliteSiC, incarnant des solutions SiC optimisées profondément ancrées dans son ADN.
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Produits SiC fortement optimisés
Tirant parti de notre position de leader dans les MOSFET, notre portefeuille de produits EliteSiC a été optimisé pour les exigences de performance des applications finales d’infrastructures énergétiques grâce à l’amélioration des pertes de commutation dans des conditions réalistes par rapport à la concurrence.
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Modules de puissance et technologies SiC de pointe
L’investissement continu dans une technologie améliorée d’emballage permet d’obtenir une puissance et une densité élevées.
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Une offre polyvalente de pilotes de grille
Large gamme de pilotes de grille isolés à courant d’entraînement élevé avec une large gamme de fonctions de sécurité qui permettent une intégration et une flexibilité de conception avec les ensembles standard de l’industrie.
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Qualité
Nous avons construit une infrastructure pour garantir les plus hauts niveaux de qualité dans la fabrication de dispositifs SiC. Des niveaux élevés de surveillance des défauts de cristaux, des tests d’avalanche à 100 % des MOSFET SiC ou des rodages pour éliminer les défaillances liées à l’oxyde dans les MOSFET SiC extrinsèques précoces sont quelques exemples de processus introduits par onsemi pour fournir les plus hauts niveaux de qualité.
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Outil EliteSiC Power Simulator
Le nouvel Elite Power Simulator d’onsemi permet aux ingénieurs en électronique de puissance d’accélérer la mise sur le marché. L’outil fournit une représentation précise du fonctionnement de leur circuit en utilisant notre famille de produits EliteSiC, y compris la fabrication de boîtiers d’angle de la technologie EliteSiC.
Vidéos
Systèmes de stockage d’énergie par batteries : Favoriser un avenir brillant
La différence onsemi - Approvisionnement fiable en carbure de silicium
onsemi couvre quatre solutions pour les infrastructures énergétiques, notamment les bornes de recharge pour véhicules électriques, le stockage d’énergie/l’alimentation sans coupure (UPS) et les onduleurs solaires, comprenant :
1. MOSFET EliteSiC
2. Diodes EliteSiC
3. Pilotes EliteSiC
4. Modules d’alimentation et hybrides EliteSiC
5. IBGT
6. Pilotes de grille à isolation galvaniques
7. Amplificateurs détecteurs de courant
8. Amplificateurs opérationnels de détection de tension et de courant
9. Régulateurs de tension et LDO
10. Régulateurs/convertisseurs AC-DC, DC-DC
Cliquez sur les onglets ci-dessous pour en savoir plus
MOSFET EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| PFC et DCDC | NTBG060N090SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant |
| NTBG080N120SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 80 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant | |
| NVBG020N090SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant | |
| NTBG015N065SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant | |
| NTBG045N065SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 650 V, 43,5 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant | |
| NTH4L022N120M3S | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 22 mΩ, TO247-4LD | Acheter dès maintenant | |
| Puissance auxiliaire | NTH4L160N120SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 160 mΩ, TO247−4L | Acheter dès maintenant |
| NTHL160N120SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 160 mΩ, TO247−3L | Acheter dès maintenant |
Diodes EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| PFC et DCDC | FFSD0465A | Diode SiC - 650 V, 4 A, DPAK | Acheter dès maintenant |
| FFSH30120A | Diode SiC, 1 200 V, 30 A, TO-247-2, diode Schottky | Acheter dès maintenant | |
| FFSH3065B | Diode schottky au carbure de silicium, 650 V, 30 A, TO247 | Acheter dès maintenant | |
| FFSH40120A | Diode Schottky SiC, 1 200 V, 40 A | Acheter dès maintenant |
Pilotes EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| PFC et DCDC | FFSD0465A | Diode SiC - 650 V, 4 A, DPAK | Acheter dès maintenant |
| FFSH30120A | Diode SiC, 1 200 V, 30 A, TO-247-2, diode Schottky | Acheter dès maintenant | |
| FFSH3065B | Diode schottky au carbure de silicium, 650 V, 30 A, TO247 | Acheter dès maintenant | |
| FFSH40120A | Diode Schottky SiC, 1 200 V, 40 A | Acheter dès maintenant |
Modules d’alimentation et hybrides EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| PFC et DCDC | NXH006P120MNF2 | Modules SiC, demi-pont, 2 packs, 1 200 V, MOSFET SiC, 6 mohm, boîtier F2 | Acheter dès maintenant |
IGBTs
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| PFC et DCDC | FGHL75T65MQD | IGBT - IGBT à vitesse de commutation moyenne FS4 650 V 75 A | Acheter dès maintenant |
| FGY75T95SQDT | IGBT - IGBT à tranchée Field Stop 950 V 75 A | Acheter dès maintenant | |
| FGY60T120SQDN | IGBT, arrêt ultra field - 1 200 V 60 A | Acheter dès maintenant |
Pilotes de grille à isolation galvaniques
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Pilotes de grille | NCP51705 NCV51705 | Pilote de MOSFET SiC, côté puissance, simple, 6 A, haute vitesse | Acheter dès maintenant |
| NCD57000 NCD57001 NCV57000 NCV57001 | Pilote de grille IGBT à courant élevé isolé et à haut rendement avec isolation galvanique interne | Acheter dès maintenant | |
| NCD57080A NCD57090A NCV57080A NCV57090A | Pilote de grille à courant élevé isolé | Acheter dès maintenant | |
| NCD57252 NCV57252 | Pilote de grille IGBT/MOSFET à double canal isolé | Acheter dès maintenant | |
| NCP51561 NCV51561 | Pilotes doubles MOS/SiC haute vitesse isolés 5 kV | Acheter dès maintenant |
Amplificateurs détecteurs de courant
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Détection du courant | NCS214R | Amplificateur de détection de courant, 26 V, sortie de tension côté puissance/côté alimentation, moniteur de shunt de courant bidirectionnel | Acheter dès maintenant |
| NCS211R | Amplificateur de détection de courant, 26 V, sortie de tension côté puissance/côté alimentation, moniteur de shunt de courant bidirectionnel | Acheter dès maintenant |
Amplificateurs opérationnels :
Détection de tension et de courant
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Détection de tension | NCS2333 | Amplificateur opérationnel de précision, faible puissance, dérive nulle, décalage de 30 µV | Acheter dès maintenant |
| NCS4333 | Amplificateur opérationnel, décalage de 30 µV, 0,07 µV/°C, faible puissance, dérive nulle | Acheter dès maintenant |
Régulations de tension et LDO
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| LDO de gestion de puissance | NCP164 | Régulateur LDO 300 mA, très faible bruit, PSRR élevé avec bonne puissance | Acheter dès maintenant |
| NCP715 | Régulateur LDO, 50 mA, Iq ultra-faible | Acheter dès maintenant | |
| NCP730 | Régulateur LDO, 150 mA, 38 V, 1 uA IQ, avec PG | Acheter dès maintenant |
Régulateurs/ convertisseurs AC-DC, DC-DC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Régulateurs DCDC AC/DC - DC/DC | NCP4390, FAN7688 | Contrôleur de convertisseur résonnant LLC côté secondaire avancé avec commande de redresseur synchrone | Acheter dès maintenant |
| NCP3064 | Convertisseur boost/buck/inverseur, régulateur à découpage, 1,5 A, avec fonction marche/arrêt | Acheter dès maintenant | |
| NCP3237 | Régulateur buck synchrone intégré 8 A | Acheter dès maintenant | |
| Convertisseurs DC/DC de puissance auxiliaire | FAN6500, NCP3237, FAN49100, FAN49103, FAN53555, FAN5903, FAN5910, FAN48610, FAN53880, FFAN53870, FAN53840, NCP5252, NCP3064, FAN53610 | Régulateur buck synchrone, boost, buck/boost et PMIC | Acheter dès maintenant |
| Régulateurs AC/DC - DC/DC de puissance auxiliaire | NCP10670 | Commutateur hors ligne amélioré pour des alimentations robustes et très efficaces | Acheter dès maintenant |
| FSL336 | Interrupteur d’alimentation intégré 650 V avec amplificateur d’erreur et sans enroulement de polarisation pour les convertisseurs buck hors ligne de 9 watts | Acheter dès maintenant | |
| FSL337 | Commutateur buck Fairchild en mode vert | Acheter dès maintenant | |
| FSL518A, FSL518H | Commutateur hors ligne 800 V haute performance avec démarrage HV et SenseFET | Acheter dès maintenant | |
| FSL538A, FSL538H | Commutateur hors ligne 800 V haute performance avec démarrage HV et SenseFET | Acheter dès maintenant | |
| NCP11184 | Commutateur hors ligne 30 W 800 V avec démarrage HV | Acheter dès maintenant | |
| NCP11185 | Commutateur hors ligne 40 W 800 V avec démarrage HV | Acheter dès maintenant | |
| NCP11187 | Commutateur hors ligne 50 W 800 V avec démarrage HV | Acheter dès maintenant | |
| NCP10670, FSL336, FSL518A, FSL518H, FSL538A, FSL538H | Commutateurs hors ligne (flyback avec interrupteur d’alimentation intégré) | Acheter dès maintenant |
MOSFET EliteSiC
UPS
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| DC/AC | NTBG020N090SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant |
| NTBG015N065SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant | |
| NTH4L020N120SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 20 mΩ, TO247−4L | Acheter dès maintenant | |
| NVBG020N090SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant |
Diodes EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| DC/AC | NDSH10170A | Diode schottky au carbure de silicium, 1 700 V, 10 A, TO247 | |
| FFSM2065 | Diode au carbure de silicium 650 V 20 A PQFN 88 | Acheter dès maintenant | |
| FFSH20120 | Diode schottky au carbure de silicium 1 200 V 20 A | Acheter dès maintenant |
Modules d’alimentation et hybrides EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| DC/AC | NXH100B120H3Q0 | Module intégré de puissance, double boost, IGBT 1 200 V, 50 A + diode SiC 1 200 V, 20 A. | Acheter dès maintenant |
| NXH40B120MNQ1 | Module MOSFET SiC complet, boost SiC complet à trois canaux, MOSFET SiC 1 200 V, 40 mohm + diode SiC 1 200 V, 40 A | Acheter dès maintenant | |
| NXH80B120MNQ0 | Module MOSFET SiC complet, boost SiC complet à deux canaux, MOSFET SiC 1 200 V, 80 mohm + diode SiC 1 200 V, 20 A | Acheter dès maintenant | |
| NXH450B100H4Q2F2 | Modules hybrides Si/SiC, boost symétrique 3 canaux 1 000 V, IGBT 150 A, diode SiC 1 200 V, 30 A | Acheter dès maintenant |
IGBTs
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| IGBT 650 V FS4 DC/AC | FGH40T65SQD-F155 | IGBT FS 4 | Acheter dès maintenant |
| NGTB25N120FL3 | IGBT, arrêt ultra field - 1 200 V 25 A | Acheter dès maintenant | |
| NGTB40N120S3 | IGBT, 1 200 V, 40 A faible VF FSIII | Acheter dès maintenant |
Pilotes de grille à isolation galvaniques
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Pilotes de grille | NCP51705 NCV51705 | Pilote de MOSFET SiC, côté puissance, simple, 6 A, haute vitesse | Acheter dès maintenant |
| NCD57000 NCD57001 NCV57000 NCV57001 | Pilote de grille IGBT à courant élevé isolé et à haut rendement avec isolation galvanique interne | Acheter dès maintenant | |
| NCD57080A NCD57090A NCV57080A NCV57090A | Pilote de grille à courant élevé isolé | Acheter dès maintenant | |
| NCD57252 NCV57252 | Pilote de grille IGBT/MOSFET à double canal isolé | Acheter dès maintenant | |
| NCP51561 NCV51561 | Pilotes doubles MOS/SiC haute vitesse isolés 5 kV | Acheter dès maintenant |
Régulateurs/ convertisseurs AC-DC, DC-DC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Régulateurs DCDC DC/DC | NCP3237 | Régulateur buck synchrone intégré 8 A | Acheter dès maintenant |
| Convertisseurs DC/DC de puissance auxiliaire | FAN6500, NCP3237, FAN49100, FAN49103, FAN53555, FAN5903, FAN5910, FAN48610, FAN53880, FFAN53870, FAN53840, NCP5252, NCP3064, FAN53610 | Régulateur buck synchrone, boost, buck/boost et PMIC | Acheter dès maintenant |
| Régulateurs AC/DC - DC/DC de puissance auxiliaire | NCP10670, FSL336, FSL518A, FSL518H, FSL538A,FSL538H | Commutateurs hors ligne (flyback avec interrupteur d’alimentation intégré) | Acheter dès maintenant |
MOSFET EliteSiC
UPS
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| DC/AC | NTBG020N090SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant |
| NTBG015N065SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant | |
| NTH4L020N120SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 20 mΩ, TO247−4L | Acheter dès maintenant | |
| NVBG020N090SC1 | MOSFET au carbure de silicium, canal N, 900 V, 20 mΩ, D2PAK−7L | Acheter dès maintenant |
Diodes EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| DC/AC | NDSH10170A | Diode schottky au carbure de silicium, 1 700 V, 10 A, TO247 | |
| FFSM2065 | Diode au carbure de silicium 650 V 20 A PQFN 88 | Acheter dès maintenant | |
| FFSH20120 | Diode schottky au carbure de silicium 1 200 V 20 A | Acheter dès maintenant |
Modules d’alimentation et hybrides EliteSiC
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| DC/AC | NXH100B120H3Q0 | Module intégré de puissance, double boost, IGBT 1 200 V, 50 A + diode SiC 1 200 V, 20 A. | Acheter dès maintenant |
| NXH40B120MNQ1 | Module MOSFET SiC complet, boost SiC complet à trois canaux, MOSFET SiC 1 200 V, 40 mohm + diode SiC 1 200 V, 40 A | Acheter dès maintenant | |
| NXH80B120MNQ0 | Module MOSFET SiC complet, boost SiC complet à deux canaux, MOSFET SiC 1 200 V, 80 mohm + diode SiC 1 200 V, 20 A | Acheter dès maintenant | |
| NXH450B100H4Q2F2 | Modules hybrides Si/SiC, boost symétrique 3 canaux 1 000 V, IGBT 150 A, diode SiC 1 200 V, 30 A | Acheter dès maintenant |
Pilotes de grille à isolation galvaniques
| Nom du produit | Référence | Description | Acheter dès maintenant |
|---|---|---|---|
| Pilotes de grille | NCD57080A NCV57080A | Pilote de grille à courant élevé isolé | Acheter dès maintenant |
| NCD57090A NCV57090A | Pilote de grille à courant élevé isolé | Acheter dès maintenant | |
| NCD57252 NCV57252 | Pilote de grille IGBT/MOSFET à double canal isolé | Acheter dès maintenant | |
| NCP51561 NCV51561 | Pilotes doubles MOS/SiC haute vitesse isolés 5 kV | Acheter dès maintenant | |
| NCD57200 NCD57201 NCV57200 NCV57201 | Pilote de grille demi-pont (côté alimentation isolé et côté puissance non isolé) | Acheter dès maintenant |