Pagina afdrukken
BSS138Q-7-F
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
3.962 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,152 € |
| 50+ | 0,0943 € |
| 100+ | 0,0505 € |
| 500+ | 0,0429 € |
| 1500+ | 0,0314 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
0,76 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantBSS138Q-7-F
Ordercode3127245
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
BSS138Q-7-F is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in system/load switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Continuous gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 200mA at TA=+25°C
- Pulsed drain current (10μs pulse duty cycle=1%) is 1A at TA=+25°C
- Power dissipation is 300mW at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 3.5ohm max at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Alternatieven voor BSS138Q-7-F
8 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000005
Producttraceerbaarheid