Les gammes de MOSFET mSiC et de diodes mSiC de Microchip augmentent l’efficacité de votre système par rapport aux solutions IGBT et MOSFET en silicium tout en réduisant votre coût de possession grâce à des systèmes de taille réduite et un refroidissement plus petit/moins coûteux.

Carbure de silicium : quelle est l’histoire de Microchip avec le carbure de silicium ?

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Outils de développement

Double canal 1200V

Carte d’évaluation SiC Core 1 haute performance Augmented ASDAK-2ASC-12A1HP-62

Les kits de développement accéléré en carbure de silicium de Microchip fournissent une solution matérielle et logicielle complète pour aider les ingénieurs à optimiser rapidement les performances des modules et systèmes SiC.

Ces kits comprennent :

  • Outil de configuration intelligent (ICT) AgileSwitch® et programmateur d’appareil pour un réglage facile du système. Ne nécessite aucune soudure
  • Configuration logicielle des principaux paramètres d’entraînement, notamment :
    • Tensions de grille activées/désactivées
    • Seuils de défaillance de liaison DC et de température
    • Profils Augmented Switching™
  • Même de petits ajustements aux profils Augmented Switching peuvent conduire à des améliorations significatives de l’efficacité de commutation, à une réduction des surtensions et des oscillations et à une meilleure protection contre les courts-circuits.

Cet ensemble d’outils permet aux concepteurs d’affiner les performances SiC avec précision et rapidité, en rationalisant le développement et en accélérant les délais de mise sur le marché.

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1200V-Monocanal

Carte de commande de grille discrète monocanal (isolée)

Monocanal discret

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Microchip est en carbure de silicium

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