Pagina afdrukken
IXGN200N60B3
IGBT Module, Single, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXGN200N60B3
Ordercode2784063
ProductreeksIGBT Module GenX3
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 40 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 300+ | 38,860 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 300
Meerdere: 300
11.658,00 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXGN200N60B3
Ordercode2784063
ProductreeksIGBT Module GenX3
Technische datasheet
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current300A
Continuous Collector Current300A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.35V
Collector Emitter Saturation Voltage1.35V
Power Dissipation Pd830W
Power Dissipation830W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
No. of Pins4Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product RangeIGBT Module GenX3
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
300A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.35V
Power Dissipation Pd
830W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
300A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.35V
Power Dissipation
830W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SOT-227B
No. of Pins
4Pins
IGBT Technology
PT IGBT [Standard]
Product Range
IGBT Module GenX3
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.03
Producttraceerbaarheid