Pagina afdrukken
MT53E512M64D2NW-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64bit, 2.133 GHz, VFBGA, 432 Pins
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
595 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 26,940 € |
| 5+ | 25,730 € |
| 10+ | 24,440 € |
| 25+ | 23,560 € |
| 50+ | 23,090 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
26,94 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMICRON
Artikelnr. fabrikantMT53E512M64D2NW-046 WT:B
Ordercode3861305
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density32Gbit
Memory Configuration512M x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins432Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Productoverzicht
MT53E512M64D2NW-046 WT:B is a mobile LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8 banks.
- 16n prefetch DDR architecture, single-ended CK and DQS support
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, on-chip temperature sensor to control self-refresh rate
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 4GB (32Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin, 512 Meg x 64 configuration
- 432-ball VFBGA package
- Operating Temperature range from -25°C to +85°C
Technische specificaties
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
512M x 64bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Memory Density
32Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
432Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Singapore
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Singapore
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002189