Pagina afdrukken
SKM50GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
53 Op Voorraad
24 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 80,330 € |
| 5+ | 74,530 € |
| 10+ | 67,720 € |
| 50+ | 65,260 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
80,33 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSEMIKRON
Artikelnr. fabrikantSKM50GB12T4
Ordercode2301737
Technische datasheet
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current81A
Continuous Collector Current81A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleSEMITRANS 2
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Productoverzicht
The SKM50GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Toepassingen
Power Management, Maintenance & Repair
Technische specificaties
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
81A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
81A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SEMITRANS 2
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SKM50GB12T4
4 gevonden producten
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.18
Producttraceerbaarheid