Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikant2SC5200-O(Q)
Ordercode3870093
Ook bekend als2SC5200
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 4,010 € |
10+ | 2,640 € |
100+ | 1,860 € |
500+ | 1,790 € |
1000+ | 1,660 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,01 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikant2SC5200-O(Q)
Ordercode3870093
Ook bekend als2SC5200
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transistor Case StyleTO-3PL
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min55hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Productoverzicht
2SC5200-O(Q) is a silicon NPN triple diffused type transistor for power amplifier application.
- High breakdown voltage VCEO = 230V (min)
- Complementary to 2SA1943
- Suitable for use in 100W high fidelity audio amplifier’s output stage
- 150W collector power dissipation (Tc=25°C), 200pF (VCB=10V, IE=0, f=1MHz) collector O/P capacitance
- Collector cut-off current is 5μA max (VCB = 230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Emitter cut-off current is 5μA max (VEB = 5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter breakdown voltage is 230V min (IC = 50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is 0.4V typ (IC = 8A, IB = 0.8A, Ta = 25°C)
- Transition frequency is 30MHz typ (VCE = 5V, IC = 1A, Ta = 25°C)
- Junction temperature is 150°C
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3PL
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
55hFE
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.009525
Producttraceerbaarheid