Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantALLIANCE MEMORY
Artikelnr. fabrikantAS4C256M16MD4V-062BAN
Ordercode4313437
Technische datasheet
126 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 21,840 € |
10+ | 20,370 € |
25+ | 19,720 € |
50+ | 19,250 € |
100+ | 18,560 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
21,84 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantALLIANCE MEMORY
Artikelnr. fabrikantAS4C256M16MD4V-062BAN
Ordercode4313437
Technische datasheet
DRAM TypeMobile LPDDR4X
Memory Density4GB
Memory Configuration256M x 16bit
Clock Frequency Max1.6GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
AS4C256M16MD4V-062BAN is a LPDDR4X SDRAM. It is organized as 1 or 2 channels per device, and individual channel is 8-banks and 16-bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is essentially a 16n prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. This product offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 16n bits prefetched to achieve very high bandwidth.
- 256Mx16 org, 1600MHz maximum clock frequency
- LVSTL (low voltage swing terminated logic) I/O interface
- Selectable output drive strength (DS), 16-bit pre-fetch DDR data bus
- Single data rate (multiple cycles) command/address bus
- Bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS, DQS)
- DMI pin support for write data masking and DBI functionality
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Support non-target DRAM ODT control, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor whose status can be read from MR4
- Automotive temperature range from -40°C to 105°C, 200-ball FBGA package
Technische specificaties
DRAM Type
Mobile LPDDR4X
Memory Configuration
256M x 16bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Memory Density
4GB
Clock Frequency Max
1.6GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002593