Pagina afdrukken
BPW34-B
Photodiode, 60 °, 2 nA, 850 nm, DIP-2
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantAMS OSRAM GROUP
Artikelnr. fabrikantBPW34-B
Ordercode1212739
Technische datasheet
No. of Pins2Pins
Diode Case StyleDIP
Wavelength of Peak Sensitivity850nm
Angle of Half Sensitivity ±60°
Dark Current2000pA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
Productoverzicht
The BPW34-B is a silicon PIN Photodiode with enhanced blue sensitivity in DIL plastic package. It especially suitable for application from 350 to 110nm wavelength and 60° of half angle.
- 25ns Typical Short Switching Time
- DIL Plastic Package with High Packing Density
- 2.73 x 2.73mm² Radiant Sensitive Area
- 14.8µA Photocurrent
Toepassingen
Industrial, Motor Drive & Control
Technische specificaties
No. of Pins
2Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
850nm
Dark Current
2000pA
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
DIP
Angle of Half Sensitivity ±
60°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Great Britain
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Great Britain
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000076
Producttraceerbaarheid