Pagina afdrukken
SI4943CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
4.006 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 2,100 € |
| 10+ | 1,360 € |
| 100+ | 0,926 € |
| 500+ | 0,682 € |
| 1000+ | 0,637 € |
| 5000+ | 0,594 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
2,10 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI4943CDY-T1-GE3
Ordercode2335324
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0275ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0275ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The SI4943CDY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switching game systems and 2-cell Li-ion battery switching applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Toepassingen
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0275ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0275ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004536
Producttraceerbaarheid