Pagina afdrukken
DMG1012UW-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
2.765 Op Voorraad
15.000 U kunt nu voorraad reserveren
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 500+ | 0,0678 € |
| 1500+ | 0,0668 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Meerdere: 5
38,90 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantDMG1012UW-7
Ordercode3127309RL
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation290mW
Power Dissipation Pd290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
DMG1012UW-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.29W at TA = +25°C
- SOT323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor DMG1012UW-7
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000053
Producttraceerbaarheid