Pagina afdrukken
DMG1029SV-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
3.594 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,166 € |
| 500+ | 0,150 € |
| 1500+ | 0,134 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
21,60 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantDMG1029SV-7
Ordercode2543528RL
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel360mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel450mW
Power Dissipation P Channel450mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
360mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
450mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
450mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
3 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.005
Producttraceerbaarheid