Pagina afdrukken
AUIRFS8409-7P
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantAUIRFS8409-7P
Ordercode2352041
Ook bekend alsSP001522376
Technische datasheet
5.036 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 11,660 € |
| 5+ | 9,170 € |
| 10+ | 6,680 € |
| 50+ | 6,150 € |
| 100+ | 5,710 € |
| 250+ | 5,600 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
11,66 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantAUIRFS8409-7P
Ordercode2352041
Ook bekend alsSP001522376
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id240A
Drain Source On State Resistance750µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Alternatieven voor AUIRFS8409-7P
5 gevonden producten
Productoverzicht
The AUIRFS8409-7P is a N-channel HEXFET® Power MOSFET. This HEXFET® power MOSFET utilizes latest processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area.
- Advanced Process Technology
- New Ultra Low On-Resistance
- Fast Switching
Toepassingen
Audio, Industrial, Automotive
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
240A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002313
Producttraceerbaarheid